Imkoniyatlar flesh xotira info

Biz, ayniqsa, qurilma quvvatiga qarab, elektron shaklda saqlash mumkin foydali ma'lumotlarni miqdori. Shu nuqtai nazardan juda foydali flesh xotira hisoblanadi. Bu ishlatiladi qurilma, xususiyatlari, tez-tez muhim hajmi va ommaviy axborot vositalari kichik jismoniy hajmi ataladi.

flesh xotira nima?

Shunday qilib, biz, elektrik reprogrammable xotira yarimo'tkazgich texnologiya bir turdagi qo'ng'iroq. nuqtai texnologik nazaridan deb atalmish to'liq davrlari, doimiy saqlash qurish qarori.

kundalik hayotda ifoda "flesh xotira" mustahkam davlat qurilmalar keng sinfga murojaat qilish uchun foydalaniladigan ma'lumot saqlash, shu texnologiya yordamida amalga oshiriladi. ularning keng tarqalgan foydalanish olib muhim afzalliklari bor:

1. Ixchamligi.
2. Ucuzluğu.
3. Mexanik kuch.
4. Katta hajmi.
5. Tezlik.
6. Kam kuch iste'moli.

Chunki bu butun flesh xotira, shuningdek, bir qator, ko'plab portativ raqamli qurilmalar topish mumkin ommaviy axborot vositalari. Afsuski, bunday cheklangan tashuvchi texnik operatsiya vaqtida va elektrostatik deşarjlar sezuvchanlik kabi kamchiliklar bor. Lekin flesh xotira hajmini nima? Dargumon o'ylayman, lekin sinash imkoniyatiga ega bo'lish uchun. sotish uchun mavjud 128 GB Endi bir necha kishi hayratga imkoniyatiga ega bo'ladi, uning kichik hajmi, saqlash media qaramay, shuning uchun: Flash xotira maksimal sig'imi katta kichikligini erishish mumkin. Uzoq bo'lmagan vaqt bo'lsa 1 TB biroz qiziqish bo'ladi.

yaratish tarixi

Kashshoflar ultrabinafsha nur va elektr orqali o'chiriladi doimiy saqlash qurilmalar ko'rib chiqildi. Ular, shuningdek, bir suzuvchi eshigini edi, tranzistor qator bor edi. Faqat bu yerda elektronlar unda muhandislik katta yaratish tomonidan amalga oshirilgan elektr maydon kuchlanishi ingichka dielektrik bo'yicha. u teskari maydon kuch o'rnatish uchun zarur bo'lgan paytda Lekin bu keskin oshdi elektr tarmog'i maydoni, Matrix komponentlarini vakili.

Bu zichlik muammo kontaktlarning o'chirish bo'lgan hal qilish muhandislar uchun qiyin edi. 1984 yilda, u muvaffaqiyatli hal, lekin, chunki "Flash" deb nomlangan yangi texnologiya flash jarayonlarning o'xshashligi (ingliz tilida - "Flash").

ishga tamoyili

Bu yarim o'tkazgich tuzilishi bir olis hududda bo'lib ro'yxatga olish va elektr zaryad o'zgarishi asoslangan. Bu jarayonlar manba va bu bayrok ingichka dielektrik kuchlanish elektr maydon uchun katta quvvatga darvozasi o'rtasidagi sabab uchun etarli edi sodir tunnel effekti cho'ntagidan va tranzistorlar kanal o'rtasida. elektronlar bir oz tezlashtirishga foydalanib, uni mustahkamlash va keyin issiq tashuvchilarning quyish sodir uchun. O'qish ma'lumotlar beriladi dala etkili'transistor. Bu darvoza vazifasini bajaradi cho'ntakka. Uning salohiyati qayd va kontaktlarning o'qiladigan tranzistorli xususiyatlari ostonasini o'zgarmoqda. dizayn bunday hujayralar katta qator bilan ish mumkin amalga oshirish bilan elementlari bor. qismlari imkoniyatlar flesh xotira kichik hajmi tufayli va u ta'sirli.

Tabiiy hol va NAND-Qurilmalar

Ular bitta qator hujayra bilan aloqasi, shuningdek, o'qish va yozuv algoritmlari asosidir usuli bilan ajralib turadi. NOR dizayn ustun va satr chorrahasida bitta uyaga ega bo'lib, o'tkazgichning mumtoz ikki o'lchovli matritsasi, asoslangan. Doimiy tranzistor kanalizatsiyasi ulangan liniyalari dirijyor, va ikkinchi darvoza ustunlar qo'shiling. Barcha uchun umumiy bo'lgan substrat, ulangan Manba. Bu dizayn oson bir qatorga va bir ustun uchun ijobiy quvvat berib, o'ziga xos tranzistorlar holatini o'qish uchun qiladi.

NAND'ın, uch o'lchamli qator tasavvur nima vakillik qilish uchun. uning negizida - barcha shu Matritsa. Lekin ortiq har bir chorrahasida joylashgan tranzistorlar, va qator ulangan hujayralari iborat butun bir ustun uchun o'rnatiladi. Bu dizayn darvoza mikrosxemalar ko'p faqat bir kesish bor. Bu zichligi komponentlar sezilarli darajada oshirish (va bu foydalanish) mumkin. salbiy ancha murakkab qayd algoritm kirish va hujayraning o'qib, deb hisoblanadi. Ham, afzalligi tezligi va yo'qligi - flesh xotira maksimal ma'lumotlarni quvvati. Plus va minus - - tezlik NAND hajmi uchun.

SLC- va MLC-qurilmalar

axborot bir yoki bir necha bitni saqlashi mumkin qurilmalar mavjud. birinchi turdagi suzuvchi bir darvoza uchun mas'ul faqat ikki darajasi bo'lishi mumkin. Bunday hujayralar bir-oz, deb ataladi. Ularning boshqa ko'proq. ko'p-bit Uyali aloqa tez-tez ham ko'p deyiladi. Ular, ajablanarlisi, bor bu javob va qayta yozuvchi bir kichik sonini oshirish uchun sekin bo'lsa-da, ucuzluğu va (ijobiy ma'noda) hajmini farq qiladi.

audio xotira

MLC yozib uchun bir fikr bor edi, deb analog signal hujayra ichiga. (Misol uchun o'yinchoqlar, tovush kartalari va shunga o'xshash narsalar) arzon mahsulotlar nisbatan kichik, ijro etish, ovoz parchalar bilan shug'ullanadi qabul chiplari olingan natijasida qo'llash.

texnologik cheklashlar

yozuv va o'qish jarayonlari energiya iste'moli farq qiladi. Shunday qilib, birinchi shakli uchun yuqori kuchlanish bor. energiya xarajatlarni o'qish bir vaqtning o'zida juda kichik bo'ladi.

resurs yozuvlar

o'zgarishlar tarkibida zaryad qaytmas o'zgarishlar to'plangan bo'lsa. Shuning uchun, bir hujayra uchun yozuvlari soni ehtimol cheklangan. xotira qarab va (u erda, deb ba'zi vakillari va 1000 gacha tutmang-da) qurilmaning jarayoni yuzlab ko'chadan minglab omon mumkin.

ko'p-bit qurilmalar kafolat muddati tashkilotning boshqa turiga nisbatan ancha past bo'ladi. Lekin nima uchun juda qurol buzilishi bor? Agar har bir hujayraning bir suzuvchi eshigini bor zaryad, nazorat mumkin emas, aslida. yozuv va o'chirish jarayoni, ham turli amalga oshiriladi keyin. Sifat nazorat o'rtacha qiymati yoki mos yozuvlar hujayra muvofiq amalga oshiriladi. Vaqt o'tishi bilan, tafovutning bor, va zaryadlash, so'ngra axborot o'qilmaydi joiz bo'ladi chegaralari orqasida mumkin. Bundan tashqari, vaziyat faqat yomon bo'ladi.

Yana bir sababi bir yarim o'tkazgich tarkibida etkazish va izolyatsiyalash viloyatlar interdiffusion hisoblanadi. Shunday qilib ishlamaydi bir chegaralarning barham topish davri, va flesh xotira kartasiga olib keladi, bu esa, vaqti-vaqti bilan elektr xatolarni yuzaga keladi.

ma'lumotlarni saqlash

izolyatsiya cho'ntak nomukammal, keyin asta-sekin zaryadlash tarqalish beri. Odatda ma'lumotlarni saqlash mumkin davri - 10-20 yil. Muayyan ekologik sharoitlar keskin saqlash davri ta'sir qiladi. Masalan, yuqori harorat, gamma nurlanish yoki yuqori energiyali zarrachalar tez barcha ma'lumotlarni halok mumkin. Kim ular, flesh xotira katta axborot hajmini ega zaif tomonlarini bor, deb maqtanishlari mumkin, eng ilg'or naqsh hisoblanadi. Ular faqat mayda-sozlangan emas allaqachon uzoq tashkil etilgan va tuzatilgan qurilma, kamroq raf umrini ega.

xulosa

u keng tarqalgan, shuning uchun maqolaning oxirida aniqlangan muammolar qaramay, flesh xotira texnologiyasi, juda samarali hisoblanadi. Va uning afzalliklari qopqoqni kamchiliklarini ko'ra ko'proq bo'ladi. Shuning uchun, flesh xotira axborot sig'imi Maishiy texnika juda foydali va mashhur bo'ldi.